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SSM3K7002BFS Datasheet PDF
- Field Effect Transistor - Transistor
SSM3K7002BFS 東芝電界 果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形(U-MOSⅣ) SSM3K7002BFS 高速スイッチング アナログスイッチ 位: mm 小型パッケ ジで高密度 に最適 オン抵抗が低い : RDS(ON) = 3.3 Ω (最大) (@VGS = 4.5 V) : RDS(ON) = 2.6 Ω (最大) (@VGS = 5 V) : RDS(ON) = 2.1 Ω (最大) (@VGS = 10 V) 絶 最大定格 (Ta = 25°C) 項 目 記 VDSS VGSS ID IDP 失 度 度 PD (注 1) Tch Tstg 定 60 ± 20 200 800 150 150 55 ~ 150 格 位 V
Toshiba Semiconductor
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