КТ209
кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Зарубежный прототип
Integral
PNP Transistor - Transistor
КТ209
Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
КТ209 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор
Зарубежный прототип MPS404
Назначение Кремниевые эп�