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GT50N321 Datasheet PDF
- Insulated Gate Bipolar Transistor - Transistor
GT50N321 東芝 導度 調型電界 果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT GT50N321 ○ 電 共振インバ タスイッチング用 ○ 第 4 世代 高速 FRD を しています。 取り扱いが簡 なエンハンスメントタイプです。 スイッチング時間が速い。 IGBT : tf = 0.25 μs (標準) (IC = 60 A) FRD : trr = 0.8 μs (標準) (di, dt = 20 A, μs) 飽和電 が低い。 VCE (sat) = 2.5 V (標準) (IC = 60 A) 位: mm 絶 最大定格 (Ta = 25°C)
Toshiba Semiconductor
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