2SD2603(3DD2603)
硅 NPN 半 三 管, SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于一般功率 出放大。
Purpose: Power out amplifier applications.
特点: 穿 高, 和 降低。 Features: High VCEO,low V .CE(sat)
限 , Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
符
位
Symbol
Rating
Unit
VCBO 100 V
VCEO 100 V
VEBO 5.0 V
IC 5.0 A
PC 2.0 W
PC(TC=25℃)
40 W
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
性能 , Electrical characteristics(Ta=25℃)
符
Symbol
件
Test condition
ICBO