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Datasheet VB30100C-M3 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | VB30100C-M3 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier www.vishay.com
VB30100C-M3
Vishay General Semiconductor
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A
TMBS ®
TO-263AB
K
2 1
VB30100C
PIN 1
K
PIN 2
HEATSINK
PRIMARY CHARACTERISTICS
Package
TO-263AB
IF(AV) VRRM IFSM VF at IF = 15 A TJ max. Dio |
Vishay |
VB30100C Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
VB30100C-M3 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay |
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VB30100C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay |
Esta página es del resultado de búsqueda del VB30100C-M3. Si pulsa el resultado de búsqueda de VB30100C-M3 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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