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Datasheet VB20120S-E3 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | VB20120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier V20120S-E3, VF20120S-E3, VB20120S-E3, VI20120S-E3
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
TO-220AB
TMBS ®
ITO-220AB
V20120S
3 2 1
PIN 1
PIN 2
PIN 3
CASE
TO-263AB
K
VF20120S
123
PIN 1
PIN 2
PI |
 Vishay |
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VB20120S Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| VB20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay |
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| VB20120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay |
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| VB20120S | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay |
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| Esta página es del resultado de búsqueda del VB20120S-E3. Si pulsa el resultado de búsqueda de VB20120S-E3 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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