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Datasheet TJ9A10M3 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | TJ9A10M3 | MOSFETs TJ9A10M3
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)
TJ9A10M3
1. Applications
• Switching Voltage Regulators Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 120 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
2. Features
(1) (2) (3)
Enhancement mode: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)
Low leakage current: IDSS = |
Toshiba Semiconductor |
TJ9A1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
TJ9A10M3 | MOSFETs |
Toshiba Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del TJ9A10M3. Si pulsa el resultado de búsqueda de TJ9A10M3 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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