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Datasheet RJL5013DPE Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | RJL5013DPE | N-Channel Power MOSFET / Transistor Preliminary Datasheet
RJL5013DPE
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Built-in fast recovery diode • Low on-resistance RDS(on) = 0.42 Ω typ. (at ID = 7 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching
R07DS0359EJ0200 (Previous: REJ03G1755- |
Renesas |
RJL5013 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
RJL5013DPP-E0 | High Speed Power Switching MOS FET |
Renesas |
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RJL5013DPE | N-Channel Power MOSFET / Transistor |
Renesas |
Esta página es del resultado de búsqueda del RJL5013DPE. Si pulsa el resultado de búsqueda de RJL5013DPE se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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