Datasheet RJK6034DPD-E0 Equivalent ( PDF )

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1	RJK6034DPD-E0	N-Channel Power MOSFET / Transistor Preliminary Datasheet RJK6034DPD-E0 600 V - 1 A - MOS FET High Speed Power Switching Features  Low on-resistance RDS(on) = 9.8  typ. (at ID = 0.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C)  Low leakage current  High speed switching R07DS0553EJ0100 Rev.1.00 Oct 13, 2011 Outline RENESAS Package code: P	Renesas

RJK6034DPD Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RJK6034DPD-E0	N-Channel Power MOSFET / Transistor Preliminary Datasheet RJK6034DPD-E0 600 V - 1 A - MOS FET High Speed Power Switching Features  Low on-resistance RDS(on) = 9.8  typ. (at ID = 0.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C)  Low leakage current  High speed switching R07DS0553EJ0100 Rev.1.00 Oct 13, 2011 Outline REN	Renesas

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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