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Datasheet PBRN123E Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | PBRN123E | NPN 800 mA 40 V BISS RETs
PBRN123E series
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
Rev. 01 — 27 February 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small pla |
NXP Semiconductors |
PBRN1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
PBRN113E | NPN 800 mA 40 V BISS RETs |
NXP Semiconductors |
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PBRN123E | NPN 800 mA 40 V BISS RETs |
NXP Semiconductors |
Esta página es del resultado de búsqueda del PBRN123E. Si pulsa el resultado de búsqueda de PBRN123E se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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