Datasheet P8N60C Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	P8N60C	FQP8N60C FQP8N60C/FQPF8N60C QFET FQP8N60C/FQPF8N60C 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailore	Fairchild Semiconductor

P8N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
P8NS25	STP8NS25 N-CHANNEL 250V - 0.38Ω - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY™ MOSFET TYPE STP8NS25 STP8NS25FP s s s STP8NS25 STP8NS25FP VDSS 250 V 250 V RDS(on) < 0.45 Ω < 0.45 Ω ID 8A 8A TYPICAL RDS(on) = 0.38 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTE	ST Microelectronics
P8NK80ZFP	STP8NK80ZFP STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z N-CHANNEL 800V - 1.3Ω - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET TYPE STP8NK80Z STP8NK80ZFP STW8NK80Z s s s s s s VDSS 800 V 800 V 800 V RDS(on) < 1.5 Ω < 1.5 Ω < 1.5 Ω ID 6.2 A 6.2 A 6.2 A Pw 140 W 30 W 14	STMicroelectronics
P8NC50FP	STP8NC50FP N-CHANNEL 500V - 0.7 Ω - 8A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh™II MOSFET TYPE STP(B)8NC50(-1) STP8NC50FP s s s s s STP8NC50 - STP8NC50FP STB8NC50-1 VDSS 500 V 500 V RDS(on) < 0.85 Ω < 0.85 Ω ID 8A 8A 3 1 2 TYPICAL RDS(on) = 0.7 Ω EXTREMELY HIGH dv	STMicroelectronics

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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