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Datasheet KM718V887 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | KM718V887 | 256Kx18 Synchronous SRAM KM718V887
Document Title
256Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM
256Kx18 Synchronous SRAM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 History Initial draft Modify power down cycle timing & Interleaved read timing, Insert Note 4 at AC timing characteristics. Change ISB1 value from 10mA to 30mA. Change ISB2 value |
Samsung semiconductor |
KM718V Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
KM718V987 | (KM736V887 / KM718V987) 256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM |
Samsung semiconductor |
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KM718V887 | 256Kx18 Synchronous SRAM |
Samsung semiconductor |
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KM718V849 | (KM736V749 / KM718V849) 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM |
Samsung Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del KM718V887. Si pulsa el resultado de búsqueda de KM718V887 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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