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Datasheet K2788 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K2788 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2788 2SK2788
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-538 1st. Edition Features
• Low on-resistance R DS(on) = 0.12Ω typ (VGS = 10 V, I D = 1 A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.
Outline
UPAK
3
D
2
1
4
G
1. Gate 2. Drain 3. Source 4. |
Hitachi Semiconductor |
K2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K2996 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2996 |
Toshiba Semiconductor |
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K2611 | 9A, 900V, N-Channel MOSFET, 2SK2611 |
Toshiba Semiconductor |
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K2545 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2545 |
Toshiba Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del K2788. Si pulsa el resultado de búsqueda de K2788 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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