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Datasheet K2467 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K2467 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2467 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
2SK2467
2SK2467
High-Power Amplifier Application
• High breakdown voltage: VDSS = 180 V • High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.)
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
D |
Toshiba |
K2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K2996 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2996 |
Toshiba Semiconductor |
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K2611 | 9A, 900V, N-Channel MOSFET, 2SK2611 |
Toshiba Semiconductor |
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K2545 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2545 |
Toshiba Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del K2467. Si pulsa el resultado de búsqueda de K2467 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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