No | Part number | Description ( Function ) | Manufacturers | |
1 | JCS80N10FF | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS80N10F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 80 A VDSS 100 V Rdson(@Vgs=10V) 12 mΩ Qg 115nC 封装 Package 产品用途 z用 于 高 功 率 DC/DC 转换和功 率开关 z 直流电机控制和 D 类放大器 APPLICATIONS z High efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supply z DC Motor control |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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Part No | Description ( Function) | Manufacturers | |
JCS80N10CF | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS80N10F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 80 A VDSS 100 V Rdson(@Vgs=10V) 12 mΩ Qg 115nC 封装 Package 产品用途 z用 于 高 功 率 DC/DC 转换和功 率开关 z 直流电机控制和 D 类放大器 APPLI |
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JCS80N10F | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS80N10F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 80 A VDSS 100 V Rdson(@Vgs=10V) 12 mΩ Qg 115nC 封装 Package 产品用途 z用 于 高 功 率 DC/DC 转换和功 率开关 z 直流电机控制和 D 类放大器 APPLI |
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JCS80N10SF | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS80N10F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 80 A VDSS 100 V Rdson(@Vgs=10V) 12 mΩ Qg 115nC 封装 Package 产品用途 z用 于 高 功 率 DC/DC 转换和功 率开关 z 直流电机控制和 D 类放大器 APPLI |
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JCS80N10WF | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS80N10F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 80 A VDSS 100 V Rdson(@Vgs=10V) 12 mΩ Qg 115nC 封装 Package 产品用途 z用 于 高 功 率 DC/DC 转换和功 率开关 z 直流电机控制和 D 类放大器 APPLI |
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57V168010 | HY57V168010 www.Dat |
Hynix Semiconductor |
List of most widely used semiconductors
Part Number | Function | Manufacturers | |
1N4007 | The 1N4007 is a rectification diode that is designed for high-voltage applications, typically up to 1000V. It has a maximum current rating of 1A and a forward voltage drop of around 0.7V. |
Vishay |
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LM317 | This is a popular adjustable voltage regulator. |
ON Semiconductor |
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6N137 | LM393 | 2N3906 | 2N2222 | TIP120 | 1N5818 | LM324N | A1015 | SMAJ20CA |