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Datasheet IRFW640A Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IRFW640A | Power MOSFET ( Transistor ) Advanced Power MOSFET
IRFW/I640A
FEATURES
Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 µ A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.144 Ω (Typ.)
Absolute Maximum Ratings
Symbol VDSS I |
Fairchild Semiconductor |
IRFW6 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IRFW644B | N-Channel MOSFET |
Fairchild Semiconductor |
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IRFW630A | Power MOSFET ( Transistor ) |
Samsung |
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IRFW620B | N-Channel MOSFET |
Fairchild Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del IRFW640A. Si pulsa el resultado de búsqueda de IRFW640A se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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