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Datasheet IRF7341QPBF Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IRF7341QPBF | Power MOSFET ( Transistor ) Benefits • Advanced Process Technology • ÿDual N-Channel MOSFET • ÿUltra Low On-Resistance • ÿ175°C Operating Temperature • ÿRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax • ÿLead-Free
Description
These HEXFET ® Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing tech |
International Rectifier |
IRF7341Q Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IRF7341Q | HEXFET Power MOSFET |
International Rectifier |
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IRF7341QPbF | Power MOSFET ( Transistor ) |
International Rectifier |
Esta página es del resultado de búsqueda del IRF7341QPBF. Si pulsa el resultado de búsqueda de IRF7341QPBF se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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