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Datasheet IRF3710PBF Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IRF3710PBF | HEXFET Power MOSFET PD - 94954
IRF3710PbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free
D
VDSS = 100V RDS(on) = 23mΩ
G S
ID = 57A
Description
Advanced HEXFET® Power MOSFET |
International Rectifier |
IRF3710 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IRF3710 | N-Channel MOSFET Transistor |
Inchange Semiconductor |
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IRF3710 | Power MOSFET ( Transistor ) |
International Rectifier |
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IRF3710 | N-Channel Power MOSFET / Transistor |
nELL |
Esta página es del resultado de búsqueda del IRF3710PBF. Si pulsa el resultado de búsqueda de IRF3710PBF se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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