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Datasheet IPB35N10S3L-26 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | IPB35N10S3L-26 | MOSFET ( Transistor ) OptiMOS™-T Power-Transistor
Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100% Avalanche tested
IPB35N10S3L-26
Product Summary V DS R DS(on),max ID
100 V 26.3 |
 Infineon |
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IPB35N10S3L Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| IPB35N10S3L-26 | MOSFET ( Transistor ) |
Infineon |
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| Esta página es del resultado de búsqueda del IPB35N10S3L-26. Si pulsa el resultado de búsqueda de IPB35N10S3L-26 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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