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Datasheet IPB17N25S3-100 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IPB17N25S3-100 | Power MOSFET ( Transistor ) OptiMOS™-T Power-Transistor
Features • N-channel - Enhancement mode • AEC qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green Product (RoHS compliant) • 100% Avalanche tested
IPB17N25S3-100 IPP17N25S3-100
Product Summary VDS RDS(on),max ID
250 V 100 mΩ |
Infineon |
IPB17N25S3- Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IPB17N25S3-100 | Power MOSFET ( Transistor ) |
Infineon |
Esta página es del resultado de búsqueda del IPB17N25S3-100. Si pulsa el resultado de búsqueda de IPB17N25S3-100 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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