Datasheet HBR10200HFR Equivalent ( PDF )

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1	HBR10200HFR	SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE HBR10200 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IF(AV) VRRM Tj VF(max) 10（2×5）A 200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃）用途 z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电路 APPLICATIONS z High frequency switch power supp	Jilin Sino

HBR10200 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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HBR10200	SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE HBR10200 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IF(AV) VRRM Tj VF(max) 10（2×5）A 200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃）用途 z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电路 APPLICATIONS z High frequen	Jilin Sino
HBR10200	Schottky Barrier Rectifier ( Diode ) Schottky Barrier Rectifier FEATURES ·Common Cathode Structure ·Low Power Loss/High Efficiency ·High Operating Junction Temperature ·Guarding for Overvoltage protection，High reliability ·100% avalanche tested ·RoHS product ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device	Inchange Semiconductor
HBR10200HF	SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE HBR10200 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IF(AV) VRRM Tj VF(max) 10（2×5）A 200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃）用途 z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电路 APPLICATIONS z High frequen	Jilin Sino

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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