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Datasheet FDFME2P823ZT Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | FDFME2P823ZT | Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode FDFME2P823ZT Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
FDFME2P823ZT
July 2010
Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -20 V, -2.6 A, 142 mΩ
Features
General Description
Max rDS(on) = 142 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 A Max rDS(on) = 213 mΩ at VG |
 Fairchild Semiconductor |
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FDFME2P82 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| FDFME2P823ZT | Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
Fairchild Semiconductor |
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
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