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Datasheet FDB047N10 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | FDB047N10 | MOSFET ( Transistor ) FDB047N10 — N-Channel PowerTrench® MOSFET
FDB047N10
N-Channel PowerTrench® MOSFET
100 V, 164 A, 4.7 mΩ
November 2013
Features
• RDS(on) = 3.9 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A • Fast Switching Speed • Low Gate Charge • High Performance Trench Technology for Extremely Low
RDS(on) � |
Fairchild Semiconductor |
FDB047 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
FDB047N10 | MOSFET ( Transistor ) |
Fairchild Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del FDB047N10. Si pulsa el resultado de búsqueda de FDB047N10 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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