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Datasheet FDAF59N30 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 FDAF59N30   N-Channel MOSFET

FDAF59N30 300V N-Channel MOSFET October 2006 FDAF59N30 300V N-Channel MOSFET Features • 34A, 300V, RDS(on) = 0.056Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 77 nC) • Low Crss ( typical 80 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability UniFET Description TM
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor		 datasheet FDAF59N30 pdf

FDAF59 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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FDAF59N30

N-Channel MOSFET

FDAF59N30 300V N-Channel MOSFET October 2006 FDAF59N30 300V N-Channel MOSFET Features • 34A, 300V, RDS(on) = 0.056Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 77 nC) • Low Crss ( typical 80 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Uni
 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor		 datasheet pdf - Fairchild Semiconductor


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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

 Sanken
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