Datasheet FCD380N60E Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FCD380N60E	N-Channel MOSFET FCD380N60E N-Channel MOSFET March 2013 FCD380N60E N-Channel SuperFET® II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 mΩ Features • 650 V @TJ = 150°C • Max. RDS(on) = 380 mΩ • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 34 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss.eff = 97 pF) • 100% Avalanche Tested Des	Fairchild Semiconductor

FCD380N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FCD380N60E	N-Channel MOSFET FCD380N60E N-Channel MOSFET March 2013 FCD380N60E N-Channel SuperFET® II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 mΩ Features • 650 V @TJ = 150°C • Max. RDS(on) = 380 mΩ • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 34 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss.eff = 97 pF) • 100% A	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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