Datasheet FCB36N60N Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FCB36N60N	N-Channel MOSFET FCB36N60N N-Channel MOSFET March 2013 FCB36N60N N-Channel SupreMOS® MOSFET 600 V, 36 A, 90 mΩ Features • RDS(on) = 81 mΩ (Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 18 A • Ultra low gate charge (Typ. Qg = 86 nC) • Low effective output capacitance (Typ. Coss.eff = 361 pF) • 100% avalanche tested • RoHS c	Fairchild Semiconductor

FCB36N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FCB36N60N	N-Channel MOSFET FCB36N60N N-Channel MOSFET March 2013 FCB36N60N N-Channel SupreMOS® MOSFET 600 V, 36 A, 90 mΩ Features • RDS(on) = 81 mΩ (Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 18 A • Ultra low gate charge (Typ. Qg = 86 nC) • Low effective output capacitance (Typ. Coss.eff = 361 pF) • 100% avalanc	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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