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Datasheet CEF658N Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 CEF658N   N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP658N/CEB658N CEF658N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP658N CEB658N CEF685N VDSS 180V 180V 180V RDS(ON) 0.22Ω 0.22Ω 0.22Ω ID 16A 16A 16A d PRELIMINARY @VGS 10V 10V 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handi
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CET		 datasheet CEF658N pdf

CEF6 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
CEF6601

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP6601/CEB6601 CEF6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -19A, RDS(ON) = 86mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is a
 CET
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CEF658N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP658N/CEB658N CEF658N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP658N CEB658N CEF685N VDSS 180V 180V 180V RDS(ON) 0.22Ω 0.22Ω 0.22Ω ID 16A 16A 16A d PRELIMINARY @VGS 10V 10V 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High pow
 CET
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CEF630N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP630N/CEB630N CEF630N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP630N CEB630N CEF630N VDSS 200V 200V 200V RDS(ON) 0.36Ω 0.36Ω 0.36Ω ID @VGS 9A 10V 9A 10V 9A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current
 CET
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nuevas actualizaciones

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

 Sanken
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