Datasheet BPY62-5 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	Category
1	BPY62-5	NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Features q Especially suitable for applications from Bereich von 420 nm bis 1	Siemens Semiconductor Group	transistor

BPY Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	Catagory
1	BPY11	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis	Siemens Semiconductor Group	data
2	BPY11P	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis	Siemens Semiconductor Group	data
3	BPY11PIV	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis	Siemens Semiconductor Group	data
4	BPY11PV	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis	Siemens Semiconductor Group	data
5	BPY12	Silicon-PIN-Photodiode BPY 12 BPY 12 H 1 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode BPY 12 BPY 12 H 1 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) Anw	Siemens Semiconductor Group	diode
6	BPY12H1	Silicon-PIN-Photodiode BPY 12 BPY 12 H 1 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode BPY 12 BPY 12 H 1 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) Anw	Siemens Semiconductor Group	diode
7	BPY47	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 47 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 47 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis	Siemens Semiconductor Group	data

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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