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PDF GT15M321 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GT15M321 | |
| Descripción | Insulated Gate Bipolar Transistor | |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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GT15M321
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
GT15M321
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Unit: mm
l The 4th Generation
l FRD Included Between Emitter and Collector
l Enhancement−Mode
l High Speed
: tf = 0.20 µs (TYP.) (IC = 15 A)
l Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 1.8V (TYP.)
(IC = 15A)
MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)
CHARACTERISTIC
Collector−Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
DC
1ms
Emitter−Collector Foward
Current
DC
1ms
Collector Power Dissipation
(Tc = 25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VCES
VGES
IC
ICP
IF
IFM
PC
Tj
Tstg
RATING
900
±25
15
30
15
120
55
150
−55~150
EQUIVALENT CIRCUIT
UNIT
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 5.8 g
―
―
2−16F1A
1 2002-02-06
1 page  
GT15M321
5 2002-02-06
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GT15M321 | Insulated Gate Bipolar Transistor | Toshiba Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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