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PDF GLBCP69 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GLBCP69 | |
| Descripción | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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CORPORATION ISSUED DATE :2005/07/15
REVISED DATE :
GLBCP69
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Description
The GLBCP69 is designed for use in low voltage and medium power applications.
Features
VCEO : -20V
IC :1A
Package Dimensions
SOT-223
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Total Power Dissipation
PD
REF.
A
C
D
E
I
H
Millimeter
Min. Max.
6.70 7.30
2.90 3.10
0.02 0.10
0 10
0.60 0.80
0.25 0.35
REF.
B
J
1
2
3
4
5
Millimeter
Min. Max.
13 TYP.
2.30 REF.
6.30 6.70
6.30 6.70
3.30 3.70
3.30 3.70
1.40 1.80
http://www.DataSheet4U.net/
Ratings
+150
-65~+150
-25
-20
-5
-1
1.5
Unit
V
V
V
A
W
Electrical Characteristics(Ta = 25
Symbol
Min.
Typ.
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VBE(on)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
-25 -
-20 -
-5 -
--
--
--
--
50 -
85 -
60 -
- 60
,unless otherwise noted)
Max.
Unit
Test Conditions
-
-
-
-10
-10
-500
-1.0
375
-
V
V
V
uA
uA
mV
V
MHz
IC=-100uA , IE=0
IC=-1mA, IB=0
IE=-10uA ,IC=0
VCB=-25V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
IC=-1A, IB=-100mA
VCE=-1V, IC=-1A
VCE=-10V, IC=-5mA
VCE=-1V, IC=-500mA
VCE=-1V, IC=-1A
VCE=-5V, IC=-10mA
*Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
1/2
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GLBCP69 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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