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PDF GESD880 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GESD880 | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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ISSUED DATE :2005/12/12
REVISED DATE :
GESD880
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GESD880 is designed for audio frequency power amplifier application.
Features
High DC Current Gain: hFE = 300 (Max.) @ VCE = 5V, IC = 0.5A
Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 1.0V (Max.) @ IC = 3A, IB = 0.3A
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings (TA=25 )
Parameter
Symbol
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Collector Power Dissipation (TA=25 )
PD
Collector Power Dissipation (TC=25 )
PD
Junction Temperature
TJ
Storage Temperature
Tstg
REF.
A
b
c
D
E
L4
L5
Millimeter
Min. Max.
4.40 4.80
0.76 1.00
0.36 0.50
8.60 9.00
9.80 10.4
14.7 15.3
6.20 6.60
REF.
c1
b1
L
e
L1
Ø
A1
Millimeter
Min. Max.
1.25 1.45
1.17 1.47
13.25 14.25
2.54 REF.
2.60 2.89
3.71 3.96
2.60 2.80
Ratings
80
62
7
3
1.5
25
150
-55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
W
W
Electrical Characteristics (TA = 25
Symbol
Min.
Typ.
BVCBO
80 -
BVCEO
62 -
BVEBO
7-
ICBO
--
IEBO
--
*VCE(sat)
--
*VBE(sat)
--
*VBE(ON)
--
*hFE
60 -
fT - 8
Cob - 40
unless otherwise noted)
Max.
Unit
Test Conditions
- V IC=100uA, IE=0
- V IC=50mA, IB=0
- V IE=100uA, IC=0
10 uA VCB=80V, IE=0
10 uA VEB=7V, IC=0
1.0 V IC=3A, IB=0.3A
1.5 V IC=2A, IB=0.2A
1.0 V VCE=5V, IC=500mA
300 VCE=5V, IC=0.5A
- MHz VCE=5V, IE=-0.5A
- pF VCB=10V, IE=0, f=1MHz
*Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
Classification Of hFE
Rank
Range
O
60 ~ 120
Y
100 ~ 200
GR
150 ~ 300
GESD880
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GESD880 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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