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PDF GSMBT9013 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GSMBT9013 | |
| Descripción | TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2004/12/20
REVISED DATE :
GSMBT9013
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
Description
The GSMBT9013 is designed for use in 1W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation.
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Total Power Dissipation
PD
Characteristics at
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
Min.
40
20
5
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
VBE(on)
*hFE1
*hFE2
fT
Cob
-
-
-
-
-
112
40
100
-
Ta = 25
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
180
-
-
-
Max.
-
-
-
100
100
0.6
1.2
0.9
300
-
-
8
Classification Of hFE1
Rank
3BG
Range
112 - 166
3BH
144 - 202
REF.
A
A1
A2
D
E
HE
Millimeter
Min. Max.
0.80 1.10
0 0.10
0.80 1.00
1.80 2.20
1.15 1.35
1.80 2.40
REF.
L1
L
b
c
e
Q1
Millimeter
Min. Max.
0.42 REF.
0.15 0.35
0.25 0.40
0.10 0.25
0.65 REF.
0.15 BSC.
Ratings
+150
-55 ~ +150
40
20
5
500
225
Unit
V
V
V
mA
mW
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
V
MHz
pF
Test Conditions
IC=100uA , IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=100uA, IC=0
VCB=25V, IE=0
VEB=3V, IC=0
IC=500mA, IB=50mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=1V, IC=10mA
VCE=1V, IC=50mA
VCE=1V, IC=500mA
VCE=1V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
3BL
176 - 300
1/2
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| PDF Descargar | [ Datasheet GSMBT9013.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GSMBT9012 | TRANSISTOR | GTM |
| GSMBT9013 | TRANSISTOR | GTM |
| GSMBT9014 | TRANSISTOR | GTM |
| GSMBT9015 | TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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