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PDF GSMBT4076 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GSMBT4076 | |
| Descripción | TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2005/07/22
REVISED DATE :
GSMBT4076
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GSMBT4076 is designed for general purpose switching and amplifier applications.
Features
Excellent hFE Linearity : hFE2=25 (Min.) @VCE=6v, IC=400mA
Complementary to GSMBT2015
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Base Current
IB
Total Power Dissipation
PD
Electrical Characteristics (Ta = 25 )
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE1
*hFE2
fT
Min. Typ. Max.
35 -
-
30 -
-
5- -
- - 100
- - 100
- - 250
- - 1.2
70 - 240
25 -
-
250 -
-
Cob - - 6.5
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
V
MHz
pF
Classification Of hFE
Rank
hFE1 Range
hFE2 Range
WO
70 - 140
Min. 25
WY
120 - 240
Min. 40
REF.
A
A1
A2
D
E
HE
Millimeter
Min. Max.
0.80 1.10
0 0.10
0.80 1.00
1.80 2.20
1.15 1.35
1.80 2.40
REF.
L1
L
b
c
e
Q1
Millimeter
Min. Max.
0.42 REF.
0.15 0.35
0.25 0.40
0.10 0.25
0.65 REF.
0.15 BSC.
Ratings
+150
-55~+150
35
30
5
500
50
250
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
Test Conditions
IC=100uA , IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA ,IC=0
VCB=35V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IC=100mA, IB=10mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=1V, IC=100mA
VCE=6V, IC=400mA
VCE=10V, IC=20mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
1/2
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GSMBT4075 | TRANSISTOR | GTM |
| GSMBT4076 | TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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