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PDF GSD1624 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GSD1624 | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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GSD1624
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION
Description
The GSD1624 applies to voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, and electrical equipment .
FEATURES
*Adoption of FBET, MBIT processes
*Low collector-to-emitter saturation voltage
*Fast switching speed
*Large current capacity and wide ASO
Package Dimension
1/3
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
4.4 4.6
4.05 4.25
1.50 1.70
1.30 1.50
2.40 2.60
0.89 1.20
REF.
G
H
I
J
K
L
M
Millimeter
Min. Max.
3.00 REF.
1.50 REF.
0.40 0.52
1.40 1.60
0.35 0.41
5 TYP.
0.70 REF.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ,unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current (DC)
IC 3
A
Collector Current (PULSE)(note1)
IC 6
A
Total Power Dissipation
PD 0.5
W
Junction Temperature
Tj +150
Storage Temperature
Tstg -55 ~ +150
Note 1:Single pulse,PW=10ms
ELECTRICAL Characteristics (Ta=25 ,unless otherwise specified)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
V(BR)CBO
60 - - V IC=10uA ,IE=0
V(BR)CEO
50 - - V IC=1mA,RBE=
V(BR)EBO
6 - - V IE=10uA,Ic=0
ICBO
- - 1 uA VCB=40V
IEBO
- - 1 uA VEB=4V
VCE(sat)
- 0.19 0.5
V IC=2A, IB=100mA
VBE(sat)
- 0.94 1.2 V IC=2A, IB=100mA
hFE 100 - 560 - VCE=2V, IC=0.1A
fT
-
150
-
MHz
VCE=10V, Ic=50mA
Cob - 25 - pF VCB=10V, f=1MHz
tstg
- 650 -
ns See test circuit
tf - 35 - ns See test circuit
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GSD1624 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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