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PDF SPU23N05 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SPU23N05 | |
| Descripción | SIPMOS Power Transistor | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
• dv/dt rated
• 175°C operating temperature
SPD23N05
SPU23N05
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
SPD23N05
SPU23N05
VDS
55 V
55 V
ID
22 A
22 A
RDS(on)
0.06 Ω
0.06 Ω
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Avalanche energy, single pulse
ID = 22 A, VDD = 25 V, RGS = 25 Ω
L = 372 µH, Tj = 25 °C
Avalanche current,limited by Tjmax
Avalanche energy,periodic limited by Tjmax
Reverse diode dv/dt
IS = 22 A, VDS = 40 V, diF/dt = 200 A/µs
Tjmax = 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Package
P-TO252
P-TO251
Symbol
ID
IDpuls
EAS
IAR
EAR
dv/dt
VGS
Ptot
Ordering Code
Q67040 - S4138 - A2
Q67040 - S4131 - A2
Values
22
16
88
90
22
5.5
6
± 20
55
Unit
A
mJ
A
mJ
kV/µs
V
W
Semiconductor Group
1
29/Jan/1998
1 page  
SPD23N05
SPU23N05
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
60
W
50
P
tot
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0 20 40 60 80 100 120 140 °C 180
TC
Drain current
ID = ƒ(TC)
parameter: VGS ≥ 10 V
24
A
20
I
D
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 °C 180
TC
Safe operating area
ID = ƒ(VDS)
parameter: D = 0.01, TC = 25°C
10 3
A
I
D
10 2
tp = 26.0µs
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
10 1
K/W
10 0
Z
thJC
10 -1
10 1
10 0
10 0
100 µs
10 1
1 ms
10 ms
DC V 10 2
VDS
10 -2
10 -3
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 -4
10 -7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1 s 10 0
tp
Semiconductor Group
5
29/Jan/1998
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SPU23N05 | SIPMOS Power Transistor | Siemens Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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