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PDF NTE234 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE234 | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor Low Noise / High Gain Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE234
Silicon PNP Transistor
Low Noise, High Gain Amplifier
Description:
The NTE234 is a silicon PNP transistor in a TO92 type package designed especially for low noise
preamplifier and small signal industrial amplifier applications. This device features low collector satu-
ration voltage, tight beta control, and excellent low noise characteristics.
Features:
D Low Noise
D High DC Current Gain
D High Breakdown Voltage
D Low Pulse Noise
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Steady State Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Emitter Current, IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Breakdown Voltage
Collector–to–Emitter
ICBO VCB = 120V, IE = 0
IEBO VEB = 5V, IC = 0
V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0
DC Current Gain
hFE VCE = 6V, IC = 2mA
Min Typ Max Unit
– – 100 nA
– – 100 nA
120 – – V
350 – 700
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE23 | Silicon NPN Transistor Ultra High Frequency Amp | NTE |
| NTE230 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) TV Deflection Circuit | NTE |
| NTE2300 | Silicon NPN Transistor High Voltage / Horizontal Output | NTE |
| NTE2301 | Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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