|
|
PDF BUZ215 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BUZ215 | |
| Descripción | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET) | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de BUZ215 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 9 Páginas | ||
|
No Preview Available !
BUZ 215
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• FREDFET
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 215
VDS
500 V
ID
5A
RDS(on)
1.5 Ω
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
RGS = 20 kΩ
Continuous drain current
TC = 30 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Symbol
VDS
VDGR
ID
IDpuls
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Ordering Code
C67078-A1400-A2
Values
500
Unit
V
500
A
5
20
± 20
75
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤ 1.67
75
E
55 / 150 / 56
V
W
°C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96
1 page  
BUZ 215
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
80
W
Ptot
60
50
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Safe operating area
ID = ƒ(VDS)
parameter: D = 0.01, TC = 25°C
10 2
A
I
D
10 1
tp = 630.0ns
1 µs
10 µs
10 0
10 -1
10 0
10 1
100 µs
1 ms
10 ms
DC
10 2 V 10 3
VDS
Drain current
ID = ƒ(TC)
parameter: VGS ≥ 10 V
5.5
A
ID 4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TC
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
10 1
K/W
Z
thJC 10 0
10 -1
10 -2
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10 -3
10 -7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1 s 10 0
tp
Semiconductor Group
5
07/96
5 Page | ||
| Páginas | Total 9 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet BUZ215.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BUZ21 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | Siemens Semiconductor Group |
| BUZ21 | 19A/ 100V/ 0.100 Ohm/ N-Channel Power MOSFET |  Intersil Corporation |
| BUZ21 | SIPMOS Power Transistor |  Infineon Technologies AG |
| BUZ210 | (BUZ210 / BUZ211) Power Transistors |  Siemens |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |