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PDF 1N4154 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 1N4154 | |
| Descripción | Silicon Rectifier Diode | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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1N4154
Silicon Rectifier Diode
Small Signal Fast Switching
DO−35 Type Package
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Reverse Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Peak Forward Surge Current (tp = 1s), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Repetitive Peak Forward Current, IFRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Forward Continuous Current, IF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA
Average Forward Current (VR = 0), IFAV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Power
Dissipation
TTLL
=
+45C
+25C
(I
.
.
=
..
..
4mm),
......
......
.P.V.
...
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440mW
500mW
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +175C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (I = 4mm, TL = constant), RthJA . . . . . . . . . . . . 350K/W
Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Forward Voltage
Reverse Current
Breakdown Voltage
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
VF IF = 30mA
− 0.88 1 V
IR VR = 25V
− 9 100 nA
VR = 25V, TJ = +150C
− − 100 A
V(BR) IR = 5A, Note 1
35 − − V
CD VR = 0, f = 1MHz, VHF = 50mV
− − 4 pF
trr IF = IR = 10mA, iR = 1mA
− − 4 ns
IF = 10mA, VR = 6V, iR = 0.1 IR, RL = 100 − − 2 ns
Note 1.
tp
T
= 0.01, tp = 0.3ms
1.000
(25.4)
Min
.200
(5.08)
Max
.022 (.509) Dia Max
.090 (2.28)
Dia Max
Color Band Denotes Cathode
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 1N4150 | High-speed diodes |  NXP Semiconductors |
| 1N4150 | Silicon Epitaxial Planar Diode |  Vishay Telefunken |
| 1N4150 | SIGNAL DIODE |  Rectron Semiconductor |
| 1N4150 | High Conductance Ultra Fast Diode |  Fairchild Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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