PDF MT18VDDF12872H Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	MT18VDDF12872H
Descripción	1GB DDR SDRAM SODIMM
Fabricantes	Micron
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No Preview Available ! 1GB (x72, ECC, DR) 200-Pin DDR SDRAM SODIMM Features DDR SDRAM SODIMM MT18VDDF12872H – 1GB For component data sheets, refer to Micron’s Web site: www.micron.com Features • 200-pin, small-outline dual in-line memory module (SODIMM) • Fast data transfer rates: PC2100, PC2700, or PC3200 • 1GB (128 Meg x 72) • Supports ECC error detection and correction • VDD = VDDQ = +2.5V (-40B: VDD = VDDQ = +2.6V) • VDDSPD = +2.3V to +3.6V • 2.5V I/O (SSTL_2-compatible) • Internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle • Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/ received with data—that is, source-synchronous data capture • Differential clock inputs (CK and CK#) • Multiple internal device banks for concurrent operation • Selectable burst lengths (BL) 2, 4, or 8 • Auto precharge option • Auto refresh and self refresh modes: 7.8125µs maximum average periodic refresh interval • Serial presence-detect (SPD) with EEPROM • Selectable CAS latency (CL) for maximum compatibility • Dual rank • Gold edge contacts Figure 1: 200-Pin SODIMM (MO-224) PCB height: 31.75mm (1.25in) Options Marking • Operating temperature1 – Commercial (0°C ≤ TA ≤ +70°C) – Industrial (–40°C ≤ TA ≤ +85°C) • Package None I – 200-pin DIMM (standard) G – 200-pin DIMM (Pb-free) Y • Memory clock, speed, CAS latency – 5.0ns (200 MHz), 400 MT/s, CL = 3 -40B – 6.0ns (167 MHz), 333 MT/s, CL = 2.5 – 7.5ns (133 MHz), 266 MT/s, CL = 22 – 7.5ns (133 MHz), 266 MT/s, CL = 2.52 -335 -26A -265 Notes: 1. Contact Micron for industrial temperature module offerings. 2. Not recommended for new designs. Table 1: Speed Grade -40B -335 -26A -265 Key Timing Parameters Industry Nomenclature PC3200 PC2700 PC2100 PC2100 Data Rate (MT/s) CL = 3 400 – – – CL = 2.5 333 333 266 266 CL = 2 266 266 266 200 tRCD (ns) 15 18 20 20 tRP (ns) 15 18 20 20 tRC (ns) 55 60 65 65 PDF: 09005aef80e4880c/Source: 09005aef80e487d7 DDF18C128x72H.fm - Rev. B 10/07 EN 1 Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice. ©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved. Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice. 1 page 1GB (x72, ECC, DR) 200-Pin DDR SDRAM SODIMM Functional Block Diagram Functional Block Diagram Figure 2: Functional Block Diagram S1# S0# DQS0 DM0 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQS2 DM2 DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 DQS4 DM4 DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 DQS6 DM6 DQ48 DQ49 DQ50 DQ51 DQ52 DQ53 DQ54 DQ55 DQS8 DM8 CB0 CB1 CB2 CB3 CB4 CB5 CB6 CB7 DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U1 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U6 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U8 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U9 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U7 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U14 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U18 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U16 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U15 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U17 DQ DQ DQ DQ BA0, BA1 A0–A12 RAS# CAS# CKE0 CKE1 WE# BA0, BA1: DDR SDRAM A0–A12: DDR SDRAM RAS#: DDR SDRAM CAS#: DDR SDRAM VDDSPD VDD CKE0: DDR SDRAM U1–U9 CKE1: DDR SDRAM U11–U19 WE#: DDR SDRAM VREF VSS DQS1 DM1 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 DQS3 DM3 DQS5 DM5 DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 DQ40 DQ41 DQ42 DQ43 DQ44 DQ45 DQ46 DQ47 DQS7 DM7 DQ56 DQ57 DQ58 DQ59 DQ60 DQ61 DQ62 DQ63 DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U5 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U2 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U3 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U4 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U19 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U13 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U12 DQ DQ DQ DQ DM CS# DQS DQ DQ DQ DQ U11 DQ DQ DQ DQ CK0 CK0# U1, U2, U5, U13, U14, U19 CK1 CK1# U3, U4, U9, U11, U12, U15 CK2 CK2# U6, U7, U8, U16, U17, U18 SPD EEPROM U10 DDR SDRAM DDR SDRAM DDR SDRAM SCL SPD EEPROM SDA WP A0 A1 A2 VSS SA0 SA1 SA2 PDF: 09005aef80e4880c/Source: 09005aef80e487d7 DDF18C128x72H.fm - Rev. B 10/07 EN 5 Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice. ©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved. 5 Page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
MT18VDDF12872	1GB DDR SDRAM REGISTERED DIMM	Micron
MT18VDDF12872H	1GB DDR SDRAM SODIMM	Micron

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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