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Número de pieza | RB095T-60 | |
Descripción | Schottky Barrier Diode | |
Fabricantes | ROHM Semiconductor | |
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RB095T-60
Applications
Switching power supply
Dimensions (Unit : mm)
Features
1) Cathode common type.
(TO-220)
2) Low IR
3) High reliability
Construction
Silicon epitaxial planer
6
Data Sheet
Structure
(1) (2) (3)
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Reverse voltage (repetitive)
Reverse voltage(DC)
Average rectified forward current (*1)
VRM 60
VR 60
Io 6
Fprward current surge peak (60Hz / 1cyc)
Junction temperature
IFSM
Tj
100
150
Storage temperature
Tstg 40 to 150
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=130C
Electrical characteristic (Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Thermal impedance
Symbol Min. Typ. Max.
VF - - 0.58
IR - - 300
jc - - 3.0
Unit
V
V
A
A
C
C
Unit
V
A
C/W
Conditions
IF=3A
VR=60V
junction to case
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.04 - Rev.D
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
RB095T-60 | Schottky Barrier Diode | ROHM Semiconductor |
RB095T-60NZ | Schottky Barrier Diode | ROHM Semiconductor |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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